山东大学830半导体物理模拟3答案

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摘要：

导带极⼩值和价带极⼤值位于不同波⽮K的半导体称为间接带隙半导体导带极⼩值和价带极⼤值位于不同波⽮K的半导体称为直接带隙半导体，si和Ge属于间接带隙半导体能带结构：Si的导带由⽅向6个旋转椭球⾯组成，导带极值位于布⾥渊区中⼼到布⾥渊区边界的0.85倍处，价带为扭曲⾯，极值位于布⾥渊区中⼼，由三部分组成，分为重空⽳带，轻空⽳带和⾃旋轨道耦合分裂出来的第三个能带组成。Ge的导带由⽅向8个旋转椭球⾯组成，每个椭球有半个在布⾥渊区内，导带极值位于布⾥渊区边界处，价带为扭曲⾯，极值位于布⾥渊区中⼼，由三部分组成，分为重空⽳带，轻空⽳带和⾃旋轨道耦合分裂出来的第三个能带组成。模拟三⼀堩⼈外形熔点⻓程砺2欧...

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