山东大学830半导体物理模拟3答案
VIP专享
摘要:
展开>>
收起<<
导带极⼩值和价带极⼤值位于不同波⽮K的半导体称为间接带隙半导体导带极⼩值和价带极⼤值位于不同波⽮K的半导体称为直接带隙半导体,si和Ge属于间接带隙半导体能带结构:Si的导带由⽅向6个旋转椭球⾯组成,导带极值位于布⾥渊区中⼼到布⾥渊区边界的0.85倍处,价带为扭曲⾯,极值位于布⾥渊区中⼼,由三部分组成,分为重空⽳带,轻空⽳带和⾃旋轨道耦合分裂出来的第三个能带组成。Ge的导带由⽅向8个旋转椭球⾯组成,每个椭球有半个在布⾥渊区内,导带极值位于布⾥渊区边界处,价带为扭曲⾯,极值位于布⾥渊区中⼼,由三部分组成,分为重空⽳带,轻空⽳带和⾃旋轨道耦合分裂出来的第三个能带组成。模拟三⼀堩⼈外形熔点⻓程砺2欧...
相关推荐
-
204英语二真题及答案免费
2026-01-30 999+ -
204英语二2010年考研初试真题免费
2026-01-30 999+ -
204英语二2010年考研初试真题答案免费
2026-01-30 999+ -
204英语二2011年考研初试真题免费
2026-01-30 999+ -
204英语二2011年考研初试真题答案免费
2026-01-30 999+ -
204英语二2012年考研初试真题免费
2026-01-30 999+ -
204英语二2012年考研初试真题答案免费
2026-01-30 999+ -
204英语二2013年考研初试真题免费
2026-01-30 999+ -
204英语二2013年考研初试真题答案免费
2026-01-30 999+ -
204英语二2026年真题答案免费
2026-01-30 999+
作者:清悠学姐
分类:考研考博类
价格:3知币
属性:6 页
大小:4.23MB
格式:PDF
时间:2026-01-24

