兰州大学803半导体物理（含晶体管原理）大学2018年真题

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兰州大学 2018 年硕士研究生招生初试试题
提醒∶答案请写在专用答题纸上，写在试题上一律无效.
初试科目代码∶805󲤌初试科目名称∶半导体物理（含品体管原理）
1. 名词解释（共 30 分，每小题 5分）。󲤌 󲤌
（1）费米-狄拉克分布 （2）施主能级
（2）俄歇复合󲤌（4）雪崩击穿
（5）接触电势差 （6）陷阱效应󲤌
2. 简答题（共 40 分，每小题 10 分）。󲤌
（1）简述硅（Si）原子掺杂进入砷化镓（GaAs）材料后的一般性质和作用"‘
（2）简述硅材料电阻率随温度的变化关系并解释原因
（3）简要解释平均自由时间、弛豫时间和非平衡少子寿命的含义
（4）画出 n型和 p型半导体硅材料接触形成 p-n 结前后的平衡态能带图。󲤌
3. 推导题（20 分）。一个硅半导体 P-n 结（突变结），结的横截面积为 A，n区的掺杂浓度
为
D
N
，p区的掺杂浓度为
A
N
，且
A
N
>>
D
N
，试推导给出∶（1）平衡条件下的势垒高度和
宽度 ∶（2）外加偏压为 V势垒宽度和 势垒电容。󲤌

标签： #2018 #真题

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