厦门大学877半导体物理与器件2013年真题答案

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2013
一、 填空
1. (1)各向异性 (2)布里渊区中心 (3)6 度 (5)3
(4)同一个能量 E对应不同的 K值 (6)重空穴有效质量、轻空穴有效
质量、自旋轨道耦合引起的第三种有效质量
2. (7)间接带隙半导体 (8)Si、Ge (9)直接带隙半导体 (10)GaAs、lnSb
3. (11)泡利不相容 (12)费米 (13)简并
(14)在能量 E附近每单位能量间隔的量子态数 (15) 
4. (16)间隙原子和空穴成对出现 (17)晶体内只形成空位置无间隙原子
(18)原子具有较大的能量才能挤入间隙位置以及它迁移时激活能很小
(19)小于
5. (20)导带费米能级 (21)价带费米能级 (22)局部的 (23)不重合
(24)准费米能级偏离费米能级的程度 (25)具有统一的费米能级
二、 简答计算或论述
1. 略
2. 略

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