厦门大学877半导体物理与器件2018年真题（回忆版）

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侵权投诉
⼀填空题
1si是⼀禁
带
半导体GaAs 是禁
带
半导体
2CM以
反相
器
由⼀个和⼀个_组成理想
状态
下
功耗
为
3MN 电容
由⼀⼀ 决定
⼆简答题
⼈短
沟道
效应
是
指
什么
2从
巆导电
时沟道
夹
断
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流⼦
在
来
断
处
如何
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利
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有
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措
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会
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有
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影响
4与以所相⽐
较
⽽⾔ 听有
哪些 缺点
5⾮
理想
从
以
听
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的
表达式
及
各项的
意义
为何
6短
沟道
效应
对于亚
阈值
特性
的
影响1
恶化有
哪些
为什么
说
这种
恶化
是VLSI所
不
能
接受的
三画图题
MOTET特定
情况
下
的能带
图
四计算
题
听的
电流
相关
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标签： #2018 #真题

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