厦门大学877半导体物理与器件2020年真题答案

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2020
一、填空题
1. （1）<100> （2）6 （3）<100>方向的布里渊区中心到布
里渊区边界的 0.85 倍处 （4）各向异性
2. （5）
（6）


3. （7）温度 （8）光照 （9）掺杂 （10）
4. （11）





（12）电离杂质浓度

电离杂质浓度
总杂质浓度








5. （13）替位 （14）间隙 （15）施主 （16）受主
（17）4 （18）5
（19）3 教材 44 页第一行，两个施主能级和一个受主能级
教材 137 页，复合作用指的 2个深能级。
（20）复合中心
6. （21）



 
（22）
 在x 处，t 时刻单位时间、单位体积中空穴的增加数。
（23）
由于扩散，单位时间单位体积中积累的空穴数。
（24）由于漂移，单位时间单位体积中积累的空穴数。
（25）
由于复合，单位时间单位体积中空穴的消失数
（26）由于其他原因，单位时间单位体积中空穴的产生数
（27）
 （28）
 （29）
 （30）
二、选择题
1. 选d
称为导带有效状态密度。与材料和温度有关。单位：
称为导带电子状态密度有效质量。 称为电导有效质量。
因此 d正确，abce 错误。
2．选 b
a错，教材 22 页，如果不考虑自旋，硅和锗的价带是三度简并的。计入自旋，成

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