天津大学813半导体物理与器件填空题答案

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填空题答案
1. 多子堆积、多子耗尽、少子反型
2. 势垒电容、扩散电容
3. 衬底费米势、金属半导体功函数差、耗尽层电离杂质面密度
4. 减小、增加
5. 基区宽度调制效应、大注入效应、发射区禁带变窄、发射结电流集边效
应
6. 直接带隙半导体
7. 雪崩击穿和隧道击穿
8.
MOSFET 转移特性曲线的斜率，反映了 MOSFET 的栅源电压对漏极电
的 控制能力，所以反映了 MOSFET 的增益。
9. 截止频率是使电流增益下降到其低频值的根号二分之一时的频率
10. N 沟道和 P沟道，其衬底与对应沟道类型相反
11. 金刚石型，闪锌矿型
12. 电离杂质散射和晶格振动散射
13. 直接复合，复合中心
14. 降低，开关
15. 势垒电容与扩散电阻以及扩散电容并联，串联电阻
16. 小于
17. 放大、饱和、截止、倒向放大
18. 开启时间：开通延迟时间与上升时间之和 关闭时间：关断延迟时间和
下降时间之和
19. 减小，增大
20. 基区宽度调制效应、大注入效应、发射区禁带变窄、电流集边效应
21. 直接复合，间接复合，直接带隙半导体，间接带隙半导体
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