天津大学813半导体物理与器件勘误

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笔记 P35
7、砷化镓的负阻效应（重点，考 n多次）
砷化镓有两个能谷，能谷 2比能谷 1更缓更宽，二阶导更小，能谷 2中电子
的有效质量更大；当电场达到一定值时，能谷 1中的电子可以从电场中获得足够
的能量而开始转移到能谷 2中，发生能谷间的散射，电子的动量有很大的改变，
伴随吸收或发射一个声子，但是，这两个能谷不是完全相同的，进入能谷 2中的
电子，有效质量大为增加 ，迁移率大大降低，平均漂移速度减小，电导率下降，
产生负阻效应。
第三章、习题 4
19 3
0
0.0127 0.0127
19
17 3
0.026 0.026
4.
0.0127 , 1.05 10 /
300
2exp( )
20.0127
10% exp 0.026
0.1 0.1 1.05 10 3.22 10 /
2 2
s D C
s
D D
C
D
C
C
D
s D
e
A E eV N cm
K A
N E
D
N k T
N
N
N
N e e cm
A N
G
 
 
 
 
上限
上限
解
的电离能
室温 以下， 杂质全部电离的掺杂上限
掺杂浓度超过 的部分，在室温下不能电离
的本征浓 13 3
14 17 3
2.4 10 /
5 ~ 2.4 10 ~ 3.22 10 /
i
s i D
n cm
A n N cm
 
 
上限
度
的掺杂浓度范围 ，即有效掺杂浓度为
掺杂下限把 5ni 改成 10ni（比 ni 大一个数量级就行）
真题
14 年真题
1：硅的导带极小值位于 硅导带极小值位于<100>方向布里渊区中心到布里渊区
边界 0.85 倍处 。硅导带有__6___ 个等价能谷。
21 年真题
6：Mis 结构表面为平带时，栅极电压为 平带电压,Mis 结构表面为强反型时栅极
电压为___阈值电压_____。
7.复合时释放能量的方法_发射声子____,____发射光子____,__俄歇复合____。
1
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