厦门大学877半导体物理与器件2002年真题答案

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2002 年
一． 简答
二、计算与证明
1. ①费米能级位于导带底 0.039ev 则，查表 4可知，As 在Si
中的电离能
0.039ev0.049ev
EV
Ei
EC
E F
ED
②是弱简并，因为 
③查表 可知，下的
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④
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
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2. ①查表 可知，当掺杂浓度为 时，

 
②无限厚样品

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③
 

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