厦门大学877半导体物理与器件2003年真题答案

免费
3.0 北木在北 2026-01-05 999+ 426.98KB 3 页 免费 海报
侵权投诉
2003年
一． 简答
二、计算与证明
1. 由附录 1可知，Sb 在Si 中的电离能为 0.039ev，即
即


简并化条件，则上式变为








查附录 3可知

 


2.
，



即









代值得 





改写为



80 4.4
67
67 4.2
77
77 4.3
71
71 4.3
71
因此，所求的温度为 71K [一般习惯从 300K 开始迭代，这里省略部分表格]
3. ① 

标签： #真题

厦门大学877半导体物理与器件2003年真题答案.pdf

共3页,预览1页

还剩页未读， 继续阅读

相关推荐

更多
立即下载
作者：北木在北 分类：考研考博类 价格：免费 属性：3 页 大小：426.98KB 格式：PDF 时间：2026-01-05

开通VIP享超值会员特权

  • 多端同步记录
  • 高速下载文档
  • 免费文档工具
  • 分享文档赚钱
  • 每日登录抽奖
  • 优质衍生服务

作者详情

相关内容

更多

推荐作者

热门标签

法学 清华大学
/ 3
评分 收藏
分享赏
立即下载
客服
关注