厦门大学877半导体物理与器件2009年真题答案
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2009
一、 填空
1. (1)
(2)不连续的 (3)相间隔的允带和禁带
2. (4)不连续的 (5)十几 ev (6)近似连续的 (7)准连续
[教材原文:禁带宽度较小,数量级在 1ev 左右。教材 11 页]
3. (8)有效质量;(9)
(10)不变 (11)
(12)磁感应强度 (13)吸收峰 (14)各向异性;
4. (15)平衡位置 (16)间隙和空位成对出现 (17)只形成空位,无间隙
(18)远小于
5. (19)类氢 (20) (21)有效质量 (22)同一数量级
6. (23)施主 (24)受主 (25)线性增加 (26)趋于饱和 (27)镓
(28)施主 (29)砷 (30)受主 (31)族原子镓 (32)杂质补偿
7. (33)杂质和缺陷 (34)
(35)非平衡载流子浓度
(36)费米能级与复合中心能级重合时导带的平衡电子浓度
(37)费米能级与复合中心能级重合时价带的平衡空穴浓度
(38)最大值 (39)禁带中央附近 (40)浅能级(即远离禁带中央的能级)
二、 简答
1.①[尼曼器件课后习题 1.6] 3.②温度
4.③
5.④各种散射机构相互独立 ⑤
6.③上
下 ④上
下 7.非平衡态,小注入,
三、 计算题
1.① , ,
②第一块样品为 N型半导体,二块样品为本征半导体,块样品为 P型半导体。
③样品 1:,品 2:,品 3:
④样品 1:,品 2: ,品 3:
⑤略
2. ①
温度()
-73
27 127 227 327
本征载流子浓度()
本征电导率(S/cm)
0.0125 0.1036
②和的关系曲线
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