厦门大学877半导体物理与器件2008年真题答案
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2008
一、 填空
1. (1)
(2) (3)
(4)是否受泡利不相容原理限制 (5)简并 (6)非简并
2. (7)温度 (8)低温弱电离 (9)中间电离区 (10)强电离区
(11)过渡区 (12)高温本征激发
3. (13)90%以上的杂质电离 (14)温度 (15)杂质浓度 (16)杂质电离能
(17)禁带中线 (18)导带底
4. (19)重掺杂 (20)导带中 (21)降低 (22)杂质带 (23)变窄
5. (24)半导体内部势场 (25)内部势场的作用 (26)概括了内部势场的作
用,使得研究半导体的运动时,可以不涉及内部势场的作用,直接将力
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