中国科学院大学804半导体物理2023真题
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2023半导体物理804一、名词解释闪锌矿施主型表面态朗道能级平均自由时间少数载流子寿命布里渊区导带底有效状态密度迁移率二、判断题1.硅、锗是由共价键结合成的，砷化镓是由离子键结合成的2.温度一定的情况下，半导体电子浓度和空穴浓度的乘积与杂质种类无关3.n型半导体低温弱电离时，费米能级在杂质能级上方4.电子在同一个能谷间的散射是弹性散射，在不同能谷间是非弹性散射。5.状态密度有效质量越大，状态密度数越大6.p型和n型掺杂浓度相同的情况下，电子迁移率相同。7.不管是大注入、小注入，耗尽区外均可近似电中性。8.金半接触的肖特基势垒和半导体功函数、半导体表面态均有关。9.强电场下，迁移率增长速率下降...
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2026-02-26 999+
作者：平安喜乐
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