哈尔滨工业大学00122微电子学与固体电子学和集成电路工程晶体管原理历年试题汇总

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摘要：

晶体管原理历年试题汇总2010Pn结势垒电容和扩散电容的概念及其不同偏置压下的影响。（12分）基区电导调制效应及其对电压放大倍数的影响。（14）高频信号下对载流子放大倍数的影响和那些过程对其有影响。（15）短沟道效应和窄沟道效应。（15）晶体管的开关过程上升延迟的基本方程及其物理意义。（14）2009简答1.发射效率和基区输运系数的定义，有什么意义。2.JEFT,MOSFET,MAOSFET,MNSFET个代表什么基区宽度扩展对什么参数或什么特性有什么影响4.镇流电阻如何接，阻值大小有何影响二：结合BJT的载流子输运过程，说明为什么说尽量增加发射区掺杂浓度，大于基区掺杂浓度，可以提高共发射极电...

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