清华大学832半导体器件与电子电路2024年半导体真题

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摘要：

十三．填空1.本征半导体是指不含杂质的纯净半导体；本征费米能级近似位于禁带中央；本征半导体中的电子浓度等于空穴浓度；2.直接复合与间接复合的区别是是否通过复合中心进行复合；有效的复合中心一般位于禁带中央附近。3.PN结中的空间电荷区的电荷是由电离杂质提供，NMOS强反型时的表面电荷是由少子扩散或者空间电荷区热运动提供4.半导体离子注入后的退火过程是为了使掺入的杂质变成替位杂质5.对于一个NMOSFET，若保持栅极电压不变，逐渐增加漏端电压，则会从线性区进入饱和区。十四．给了硅的晶格结构图，晶格系数为a，问：1计算相邻两个原子的距离2(100)晶面的原子密度解：1.硅金刚石结构d=2r=(√3/...

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