天津大学813半导体物理与器件2012年期末试卷

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………密………封………线………以………内………答………题………无………效……
2012年天津大学半导体期末考试
课程考试题 B卷 （ 120 分钟） 考试形式：闭卷 考试日期 201 2 年 月 日
一二三四五六七八九十合计复核人签
名
得分
签名
可能用到的物理常数：电子电量q=1.602×10
-1 9
C，真空介电常数ε0=8.854×10
-1 2
F/m，室温（300K）的
k0T=0.026eV，SiO2相对介电常数=3.9， N C=2.8×1019cm-3，300K时，ni(GaAs)=1.1×107cm-3.
一、多选题:在括号中填入正确答案（共30分，共 19题，每空1分）
1. 受主是能增加（B）浓度的杂质原子，施主是能增加（A）浓度的杂质原子，
A、电子 B、空穴
2. 如果杂质在化合物半导体中既能作施主又能作受主的作用，则这种杂质称为（
B ）。
A、 受主 B、 两性杂质 C、施主
3. 对于掺杂浓度为ND的非简并半导体，0 K下，其电子浓度=（ D ）；在低温下，
其电子浓度=（ B ）；在高温本征温度下，其电子浓度=（ C ）；
A、ND B、nD+ C、ni D、0
4. 对于宽带隙的半导体，激发电子从价带进入导带需要更（ A ）的能量，本征
温度区的起始温度更（ A ）。
A、高 B. 低
5. 在一定温度下，非简并半导体的平衡载流子浓度的乘积（C）本征载流子浓度的平
方。该关系（ D ）于本征半导体，（ D ）于非本征半导体。
A、 大于 B、 小于 C、等于 D、 适用 E、 不适用
6. 电子是（A），其有效质量为（D）；空穴是（B），其有效质量为（C）。
A、粒子 B、准粒子 C、 负 D、 正 E、 0
7. p型半导体中的非平衡载流子特指（ C ），其空穴的准费米能级（ I ）电
子的准费米能级。
A、n0 B、p0 C、Δn D、Δp E、n F、p
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