天津大学813半导体物理与器件课后习题

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第十二章习题
1. 如图 12-1 所示，设样品长为 8mm,宽为 2mm,厚为 0.2mm 的 Ge,在样品长度两段
加 1.0V 的电压，得到 10mA 沿 x 方向的电流，在沿样品垂直方向（+z）加 0.1T 的
磁场，则在样品长度两段测的电压 VAC 为-10mA,设材料主要是一种流自导电，试求：
①材料的导电类型；
②霍耳系数；
③载流自浓度；
④载流子迁移率。
2. 求本征 Ge和 Si 室温时的霍耳系数。
3. 室温时测得 Ge和 Si 的霍耳系数为零，求电子和空穴浓度。
4. 为判断 Ge的导电类型，测得它的霍耳系数为负，而塞贝克系数为正，该材料
的导电类型是什么？说明理由。
5. 对长 1cm、宽 2nm、厚 0.2mm 的 n 型 Ge,如在长度两段加 1.5V 电压是 4 得到
15mA 的电流；再沿样品垂直方向加以 0.2T 的磁场，测的霍耳电压为-30mV,求：
①霍耳系数；
②载流子浓度；
③零磁场时的电阻率。
④0.2T 时的电阻率（分别计算长生学波和电离杂质散射时的情况，设等能面为
球面）。
6. InSb 的电子迁移率为 7.8m2/（Vs），空穴迁移率为 780 cm2/（Vs），本征载
流子浓度为 1.61016cm-3,求 300K 时：
①本征材料的霍耳系数；
②室温时测得 RH=0，求载流子浓度；
③本征电阻率。
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