天津大学813半导体物理与器件微电子器件基础总结习题

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第一章
重要术语解释：
突变结近似：认为从中性半导体区到空间电荷区的空间电荷密度有一个突然
的不连续。
内建电势差：热平衡状态下 pn 结内 p区与 n区的静电电势差。
耗尽层电容：势垒电容的另一种表达。
超突变结：一种为了实现特殊电容-电压特性而进行冶金结处高掺杂的 pn结，
其特点 pn 结一侧的掺杂浓度由冶金结处开始下降。
势垒电容（结电容）：反向偏置下 pn 结电容。
线性缓变结：冶金结两侧的掺杂浓度可以有线性分布近似的 pn 结。
冶金结：pn 结内 p型掺杂与 n型掺杂的分界面。
反偏：pn 结的 n区相对于 p区加正电压，从而使 p区与 n区之间势垒的大
小超过热平衡状态时势垒的大小。
单边突变结：冶金结一侧的掺杂浓度远大于另一侧的掺杂浓度的 pn 结。
空间电荷区：冶金结两侧由于 n区内施主电离和 p区内受主电离而形成的带
净正电与负电的区域。
空间电荷区宽带：空间电荷区延伸到 p区与 n区内的距离，它是掺杂浓度与
外加电压的函数。
变容二极管:电容随外加电压的改变而改变的二极管。
知识点
学完本章后，读者应具备如下能力：
描述空间电荷区是怎样形成的。
画出零偏和反偏状态下 pn 结的能带图。
推导出 pn 结内建电势差的表达式。
描述当 pn 结外加反偏电压时空间电荷去的参数有什么变化。
给出势垒电容的定义并做出解释。
描述线性缓变结是怎样形成的。
给出超突变结的定义。
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