天津大学813半导体物理与器件大题总结
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1. （20）pn 结三种击穿
雪崩击穿：反向偏压很大时，势垒中的电场很强，势垒中的电子和空穴由于
受到强电场的漂移作用，具有很大的动能，它们与势垒区的晶格原子发生碰撞时
撞出一个电子空穴对，碰撞的电子空穴对在电场作用下继续与晶格发生碰撞，使
得势垒区中产生大量载流子，迅速增大了反向电流造成击穿，称为雪崩击穿。
隧道击穿：在强电场的作用下，由于隧道效应，使大量电子从价带穿过禁带
进入导带所引起的一种击穿现象，也叫齐纳击穿。
热电击穿：随结温上升，反向饱和电流密度也迅速上升，产生的热能也迅速
增大，进而又导致结的温度上升，反向饱和电流密度增大。如此反复循环下去，
最后使反向饱和电流密度无限增长而发生击穿。 这种由于热不稳定性引起的击
穿，称之为热电击穿。
2. （20）非简并 n型半导体费米能级与温度、掺杂浓度的关系
非简并 n型半导体费米能级与温度、掺杂浓度之间关系：强电离状态时，费
米能级 EF由温度及施主杂质所决定的。在一定温度下，ND越大，EF就越向导带
方面靠近，ND一定时，T越高，EF就越向本征费米能级 Ei方面靠近。
3. （20）BJT 四个区少子分布示意图
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