厦门大学877半导体物理与器件2004年真题答案

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2004年
一． 计算
N型
P型
N型 P 型


 


 
1040
1000
1000 690
430
390
390 290
2.0
5.34
2.08 7.18
二． 主要散射机构：
①电离杂质散射
②声学波散射 
③光学波散射 

电阻率

图1解释
AB：本征激发可忽略。温度升高，载流子浓度增加，杂质散射导致迁移
率也升高，故电阻率ρ随温度 T 升高下降；
BC：杂质全电离，以晶格振动散射为主。温度升高，载流子浓度基本
不变。晶格振动散射导致迁移率下降，故电阻率ρ随温度T 升高上升；
C之后：本征激发为主。晶格振动散射导致迁移率下降，但载流子浓度
升高很快，故电阻率ρ随温度T 升高而下降；
三． 略
四． N 型半导体：主要依靠电子导电的半导体称为 N型半导体；室温下其费
米能级位于之上；随着掺杂施主浓度的提高，费米能级靠近导带，随着掺
杂受主能级的提高，费米能级靠近价带。
掺杂浓度一定，随着温度升高，费米能级先增大到极大值，然后逐渐减
小，接近。
五． 略
六． 略
七． ①本征半导体：一块没有杂质和缺陷的半导体。
本征激发：价带上的电子激发成为准自由电子，即价带电子激发成为导
带电子的过程，称为本征激发。特点：产生的电子数量和空穴数量相等。
②
③即


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