哈尔滨工业大学00122微电子学与固体电子学和集成电路工程微电子器件2017年秋季试题
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2017秋季哈工大微电子器件试题一（30）什么是p-n结扩散电容？它对晶体管的哪些特性有何影响？（5）平衡p-n结的势垒高度与哪些因素有关？其两侧载流子浓度有何关系？（5）什么是mosFET？其阈值电压是如何定义的？哪些因素会影响该参数？（5）2017秋季哈工大微电子器件试题一（30）什么是p-n结扩散电容？它对晶体管的哪些特性有何影响？（5）平衡p-n结的势垒高度与哪些因素有关？其两侧载流子浓度有何关系？（5）什么是mosFET？其阈值电压是如何定义的？哪些因素会影响该参数？（5）什么是基区电导调制效应？它是如何影响晶体管的电流增益的？（5）什么是p-n结二极管的反向恢复过程和反向恢复时间？...
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作者：北木在北
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